Тема «Блиц-опрос по tcad моделированию»
Внимание! Задача не считается решенной, если угадывается правильный ответ.
Все приводимы ответы должны быть строго обоснованы. Отдельные вопросы имеют неединственное решение
1. TCAD– Technology CAD– это:
а) САПР Физико-технологического моделирования;
б) САПР Физико-топологического моделирования;
в) САПР приборно-технологического моделирования;
г) САПР приборно-технологического моделирования c экстракцией параметров?
2. За счет чего снижается стоимость полупроводникового производства при использовании TCAD:
а) за счет уменьшения числа экспериментов;
б) за счет того, что отпадает необходимость ставить эксперименты в процессе разработки нового технологического процесса;
в) за счет сокращения затраченного на проектирование времени;
г) за счет уменьшения стоимости обучения и подготовки персонала?
3. В каком виде в основном представлены в TCAD физические модели:
а) в виде системы алгебраических уравнений;
б) в виде системы нелинейных дифференциальных уравнений;
в) в виде системы нелинейных дифференциальных уравнений с соответствующими граничными и начальными условиями;
г) в виде набора значений физических величин.
4. Чем определяется выбор размеров элементов сетки в методе конечных элементов:
а) достижением приемлемой сходимости и точности расчета;
б) затратами времени на вычисление;
в) размерами и формой структуры, наличием и величиной градиентов физических параметров, наличием других неоднородностей структуры (например, интерфейсов);
г) всеми перечисленными факторами в совокупности?
5. Узлом эксперимента в Sentaurus Workbench называется:
а) ячейка, содержащая иконку с обозначением приложения;
б) ячейка, содержащая значение, которое присваивается параметру;
в) ячейка, содержащая имя параметра.
6. Серый цвет узла эксперимента обозначает:
а) «расчет выполнен»;
б) «расчет не проводился»;
в) «ошибка в расчете»;
г) «узел исключен из расчета».
7. Профили распределения примесей, сохраненные в файле с расширением tdr, могут быть представлены в виде:
а) графиков;
б) цветовых полей;
в) таблиц данных;
г) функциональной зависимости.
8. При отображении графиков в Inspect величины, значения которых откладываются по осям X и Y:
а) определяются автоматически в соответствии с порядком сохранения данных в файле с расширением plt;
б) по оси X всегда откладывается время, по оси Y – определяется пользователем;
в) задается пользователем;
г) по оси X всегда откладывается координата, по оси Y – определяется пользователем.
9. При моделировании геометрии структуры и сетки конечных элементов в SProcess координатная ось X направлена:
а) вдоль базового среза пластины;
б) перпендикулярно к поверхности вглубь пластины;
в) вдоль поверхности пластины перпендикулярно базовому срезу;
г) перпендикулярно от поверхности пластины.
10. Процесс ионной имплантации в аморфном полупроводнике описывается по теории ЛШШ с помощью распределения:
а) распределения Гаусса;
б) двойного сопряженного распределения Гаусса (асимметричного);
в) распределения Гаусса с обобщенным экспоненциальным «хвостом»;
г) распределения Пирсона-IV;
д) распределения Пирсона-IV с линейно-экспоненциальным хвостом.
11. Наклон подложки относительно направления падения ионного пучка при проведении процесса ионной имплантации необходим для:
а) предотвращения распыления материала с поверхности подложки;
б) более равномерного распределения примеси в латеральном направлении;
в) предотвращения явления каналирования ионов в монокристаллическом полупроводнике;
г) уменьшения нагрева поверхности подложки.
12. Количество введенной в полупроводник примеси в процессах диффузии и ионной имплантации характеризуется:
а) полным количеством атомов примеси;
б) концентрацией примеси;
в) дозой примеси;
г) дозой активной примеси.
13. При окислении кремния скорость протекания процесса определяется:
а) скоростью поставки окислителя к поверхности кремния;
б) скоростью диффузии окислителя в слое окисла по направлению к границе окисел-кремний;
в) скоростью протекания химической реакции на поверхности окисла;
г) скоростью протекания химической реакции на границе окисел-кремний.
14. При моделировании процесса окисления кремния учитываются:
а) зависимость скорости процесса от температуры;
б) зависимость скорости процесса от парциального давления компонентов окисляющей среды;
в) зависимость скорости процесса от ориентации подложки, механических
напряжений и уровня легирования;
г) от всех перечисленных факторов.
15. Сегрегация примеси - это:
а) явление перераспределения примеси между окислом и полупроводником, происходящие при высокой температуре из-за различия растворимости и коэффициентов диффузии примеси в полупроводнике и окисле;
б) встраивание атомов примеси в кристаллическую решетку полупроводника;
в) обеднение примесью поверхности полупроводника, происходящие при его нагреве в инертной среде;
г) перераспределение примеси в объеме полупроводника при высокой температуре.